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| Líneas de Investigación Crecimiento y Caracterización de Materiales Semiconductores: -De la familia I-III-VI2 -Semimagnéticos o Magnéticos Diluidos Tecnicas e Infraestructuras -Síntesis y Crecimiento -Caracterización Estructural -Análisis Térmico Diferencial -Propiedades Ópticas -Propiedades Eléctricas y Acústicas -Propiedades Magnéticas -Planta de licuefacción de Nitrógeno y Helio Sintesis y Crecimiento -Sintesis-Crecimiento por transporte quimico. -Crecimiento por Bridgman | Caracterizacion Estructural -Difraccion de rayos-X Laboratorio Nacional de Cristalografia, Departamento de Quimica,Facultad de Ciencias, ULA.Analisis Tecnico Diferencial -Determinacion de transiciones de fase, punto de fusion. -Diagramas de fase. Propiedades Opticas -Cary 17 (absorción óptica)Medidas de absorción óptica en función de la temperatura. 0.7 eV < E < 3.1 eV -Absorción óptica en función de la presión -Celda de presión sistema de yunques de diamantes hasta 25 GPa -Espectroscopía Raman. Medidas en función de la presión y temperatura -Interferómetro Infrarrojo a transformadas de Fourier. | Transformaciones de fase inducidas por la presion. Propiedades electricas y acusticas -Electro-iman superconductor 0-2 T. -Equipo automatizado 0-2 T -Efectos galvanomagneticos. -Conductividad Electrica, Magnetorresistencia y Efecto de Hall. -Equipos para generacion de ultrasonidos. -Medida de la velocidad del sonido mediante el metodo de superposicion de ecos. -Atenuacion ultrasonica mediante la tecnica de pulsos-eco. Propiedades Magneticas -SQUID MPMS5 2K T 300K Campo maximo: 5,5 T -Alto Campo Pulsado 4K T 300K Campo maximo: 22 T Ciclo de histeresis M vs H |
| Universidad de Los Andes Centro de Semiconductores Facultad de Ciencias - Departamento de Fisica - Nucleo La Hechicera Merida 5101 - Venezuela Tlf: 0058-0274-2401332 Correo Electronico: XXX@ula.ve |